烧结银技术的主要生产设备有哪些？
烧结银技术的规模化生产依赖于多类精密设备协同作业，核心设备体系涵盖烧结、转印、涂布及检测四大类，以下是关键设备的技术特性与代表产品：
一、烧结设备：工艺精度的核心保障
正压烧结炉
技术特性：采用液压/气压系统精准控压（5–30 MPa），真空/惰性气体（N₂/H₂）双氛围保护，温控精度±2℃（H80U系列）。
应用场景：车规级SiC模块量产，孔隙率可控制在＜5%。
无压烧结设备
技术突破：钜合新材开发阶梯控温技术（3℃/min升温），无需加压实现130–180℃低温致密化，兼容塑料基板。
激光辅助烧结系统
微区精准加热：适配Micro-OLED等微电子互连，最小光斑直径20μm，局部升温速率达100℃/s。
二、材料制备与转印设备：高效量产的关键
银膜转印机
功能：将预制的纳米银膜（厚度10–50μm）精准转印至芯片/基板，厚度偏差≤3μm（清连科技设备）。
优势：免去印刷/烘干工序，6英寸晶圆级转印良率＞95%。
高精度涂布设备
银浆涂覆：狭缝涂布精度±0.5μm，支持10μm超薄层均匀涂布（进口设备主导）。
银浆制备系统
纳米银分散设备：粒径分布控制（D50=80±5nm），防止颗粒团聚导致孔隙。
三、辅助与检测设备：质量控制的基石
真空贴片机
芯片定位精度：±5μm，压力均匀性误差＜3%，防止脆性芯片碎裂（博湃半导体）。
X射线空洞检测仪
分辨率：亚微米级（0.5μm），实时扫描烧结层空洞分布，AI分析良率提升至99.5%（钜合产线案例）。
剪切力测试仪
可靠性验证：测量界面结合强度（车规级＞50MPa），模拟热循环（-40℃~175℃）后的机械性能衰减。
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